抗干擾介質(zhì)損耗設(shè)備

產(chǎn)品特性：

◆ 具有正/反接線，內(nèi)/外標(biāo)準(zhǔn)電容，內(nèi)/外高壓多種工作模式，一體化結(jié)構(gòu)，可做各種常規(guī)介損試驗(yàn)，不需外接任何輔助設(shè)備。

◆ 液晶顯示，菜單操作，測試數(shù)據(jù)豐富，自動分辨電容、電感、電阻型試品，自帶微型打印機(jī)可打印輸出。

◆ 具有外接標(biāo)準(zhǔn)電容器接口，可外接油杯做精密絕緣油介損試驗(yàn)，可外接固體材料測量電極做精密絕緣材料介損試驗(yàn)，也可外接高壓標(biāo)準(zhǔn)電容器做高電壓介損試驗(yàn)。

◆ 自動識別50Hz / 60Hz系統(tǒng)電源，并支持發(fā)電機(jī)供電，即使頻率波動大，也可正常測量。

◆ 內(nèi)置串聯(lián)和并聯(lián)兩種介損測量模型，方便儀器檢定。

◆ 可存儲255組測量數(shù)據(jù)。

◆ CVT自激法測量時，C1/C2可一次接線同時測出，自動補(bǔ)償母線接地和標(biāo)準(zhǔn)電容器的分壓影響，無須換線和外接任何配件。

◆ 中文圖文菜單，大屏幕背光LCD顯示更清晰，電流電壓實(shí)時監(jiān)視。

◆ 優(yōu)化的電路設(shè)計，使正/反接線的準(zhǔn)確度和穩(wěn)定性*。

◆ 自動識別外接高壓試驗(yàn)電源頻率40Hz～70Hz，支持工頻電源、變頻電源和串聯(lián)諧振電源做大容量高電壓介損試驗(yàn)。

◆ 具有反接線低壓屏蔽功能，在220kVCVT母線接地情況下，對C11可進(jìn)行不拆線10kV反接線介損測量。

◆ 帶計算機(jī)接口。通過該接口，實(shí)現(xiàn)測量、數(shù)據(jù)處理和報表輸出，也可實(shí)現(xiàn)儀器內(nèi)部測量軟件升級?？杉傻骄C合高壓試驗(yàn)車上。

工作原理

儀器測量線路包括一路標(biāo)準(zhǔn)回路和一路測試回路，如圖三所示。

標(biāo)準(zhǔn)回路由內(nèi)置高穩(wěn)定度標(biāo)準(zhǔn)電容器與標(biāo)準(zhǔn)電阻網(wǎng)絡(luò)組成，由計算機(jī)實(shí)時采集標(biāo)準(zhǔn)回路電流與測試回路的電流幅值及其相位差，并由之算出被測試品的電容容值（Cx）和其介質(zhì)損耗（tg）。

數(shù)據(jù)采集電路全部采用高穩(wěn)定度器件，采集板和采集計算機(jī)被鐵盒wan全浮空屏蔽，儀器的外殼接地屏蔽；另外使用了光導(dǎo)數(shù)據(jù)、浮空地、大面積地、單點(diǎn)地、數(shù)字濾波等抗干擾技術(shù)，加之計算機(jī)對數(shù)百個電網(wǎng)周期的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，故測量結(jié)果穩(wěn)定、精確、可靠。

由圖三可見，儀器高壓變壓器的高壓側(cè)和測量線路都是浮地的，用戶可根據(jù)不同的測量對象和測量需要，靈活地采用多種接線方式。如采用“正接線法"進(jìn)行測量時，可將“E"點(diǎn)接地；而當(dāng)采用“反接線法"進(jìn)行測量時，可將“UH"點(diǎn)接地，而將E點(diǎn)浮空。

圖中除測試品Cx外，其余為本儀器。細(xì)線框內(nèi)部分對儀器外殼能承受15KV工頻高壓5分鐘，額定耐壓10KV。儀器內(nèi)附標(biāo)準(zhǔn)電容CN，名義值為50PF，tgδ≤0.0001，耐壓10KV。高壓變壓器，額定輸出功率為1KVA。

★“E"點(diǎn)為儀器的內(nèi)屏蔽與測量電纜的屏蔽層相連，不是大地，與儀器的外殼也不連通?。?！

抗干擾介質(zhì)損耗設(shè)備

技術(shù)指標(biāo)

1、環(huán)境溫度：0~40℃（液晶屏應(yīng)避免長時日照）

2、相對濕度：30％~70％

3、供電電源：電壓：220V±10％，頻率50±1Hz

4、外形尺寸：長×寬×高=4900mm×300mm×390mm

5、重量：約18kg

6、輸出功率：1KVA

7、顯示分辨率：4位

8、測量范圍：

介質(zhì)損耗（tgδ）：0-50％

電容容量（Cx）和加載電壓：

2.5KV檔：≤300nF（300000pF）

3KV檔：≤200nF（200000pF）

5KV檔：≤ 76nF（ 76000pF）

7.5KV檔：≤ 34nF（ 34000pF）

10 KV檔：≤ 20nF（ 20000pF）

9、基本測量誤差：

介質(zhì)損耗(tgδ)：1％±0.07％（加載電流20μA~500mA）正接

介質(zhì)損耗(tgδ)：2％±0.09％（加載電流 5μA~ 20mA）反接

電容容量( Cx )：1.5%±1.5pF